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IPP120N10S403AKSA1

IPP120N10S403AKSA1

僅供參考

型號 IPP120N10S403AKSA1
PNEDA編號 IPP120N10S403AKSA1
描述 MOSFET N-CH TO220-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,362
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPP120N10S403AKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPP120N10S403AKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPP120N10S403AKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 180µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs140nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10120pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)250W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-3-1
包裝/箱TO-220-3

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制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 31µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

84mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

1.1W (Ta), 1.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-251AA

包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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制造商

Vishay Siliconix

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

93mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

236mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

84A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2170pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.2W (Ta), 63W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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