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IPP60R074C6XKSA1

IPP60R074C6XKSA1

僅供參考

型號 IPP60R074C6XKSA1
PNEDA編號 IPP60R074C6XKSA1
描述 MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPP60R074C6XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPP60R074C6XKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPP60R074C6XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)57.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs74mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 1.4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs138nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3020pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)480.8W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-3
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc) (95°C)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 4A

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

106W (Tc)

工作溫度

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7.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1065pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

557A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.65mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

307nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

19680pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

416W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.9mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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