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IPS050N03LGBKMA1

IPS050N03LGBKMA1

僅供參考

型號 IPS050N03LGBKMA1
PNEDA編號 IPS050N03LGBKMA1
描述 MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,346
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPS050N03LGBKMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPS050N03LGBKMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPS050N03LGBKMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs31nC @ 10V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3200pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)68W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO251-3
包裝/箱TO-251-3 Stub Leads, IPak

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

238nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta), 150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.45V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5040pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25.5nC @ 10V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1405pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.6W (Ta)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

560pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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