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IPS70N10S3L-12

IPS70N10S3L-12

僅供參考

型號 IPS70N10S3L-12
PNEDA編號 IPS70N10S3L-12
描述 MOSFET N-CH 1TO251-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,586
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 22 - 十二月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPS70N10S3L-12資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPS70N10S3L-12
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPS70N10S3L-12規格

制造商Infineon Technologies
系列-
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs(最大)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4000pF @ 25V

FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

850mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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1300pF @ 25V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

84mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

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70nC @ 10V

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