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IPSA70R750P7SAKMA1

IPSA70R750P7SAKMA1

僅供參考

型號 IPSA70R750P7SAKMA1
PNEDA編號 IPSA70R750P7SAKMA1
描述 MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 17,112
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPSA70R750P7SAKMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPSA70R750P7SAKMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPSA70R750P7SAKMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ P7
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)700V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs750mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 70µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.3nC @ 400V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds306pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)34.7W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO251-3
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

140mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

70pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

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系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2246pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

940mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 3.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1145pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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