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IPSH4N03LA G

IPSH4N03LA G

僅供參考

型號 IPSH4N03LA G
PNEDA編號 IPSH4N03LA-G
描述 MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,582
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPSH4N03LA G資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPSH4N03LA G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPSH4N03LA G, IPSH4N03LA G數據表 (總頁數: 10, 大小: 405.91 KB)
PDFIPSH4N03LA G數據表 封面
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IPSH4N03LA G規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)90A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.4mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 40µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3200pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)94W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO251-3
包裝/箱TO-251-3 Stub Leads, IPak

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

68W (Tc)

工作溫度

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制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.1mOhm @ 66A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6020pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

300W (Tc)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

92A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.45V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2150pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

79W (Tc)

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