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IPSH5N03LA G

IPSH5N03LA G

僅供參考

型號 IPSH5N03LA G
PNEDA編號 IPSH5N03LA-G
描述 MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,348
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPSH5N03LA G資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPSH5N03LA G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPSH5N03LA G, IPSH5N03LA G數據表 (總頁數: 10, 大小: 408.67 KB)
PDFIPSH5N03LA G數據表 封面
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IPSH5N03LA G規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 35µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2653pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)83W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO251-3
包裝/箱TO-251-3 Stub Leads, IPak

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

90pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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Vgs(最大)

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5300pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

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