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IPW50R140CPFKSA1

IPW50R140CPFKSA1

僅供參考

型號 IPW50R140CPFKSA1
PNEDA編號 IPW50R140CPFKSA1
描述 MOSFET N-CH 550V 23A TO-247
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPW50R140CPFKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPW50R140CPFKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPW50R140CPFKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)550V
電流-25°C時的連續漏極(Id)23A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs140mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 930µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs64nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2540pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)192W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO247-3
包裝/箱TO-247-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 30A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3075pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.7A (Ta), 48A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1264pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

920mW (Ta), 23.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1924pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

106W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9mOhm @ 110A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

86nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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