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IPW50R299CPFKSA1

IPW50R299CPFKSA1

僅供參考

型號 IPW50R299CPFKSA1
PNEDA編號 IPW50R299CPFKSA1
描述 MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,646
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 16 - 一月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPW50R299CPFKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPW50R299CPFKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPW50R299CPFKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)550V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 440µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs31nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1190pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)104W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO247-3
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

500A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

545nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

41000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

830W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

43A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

71W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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功耗(最大值)

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