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IR2118STR

IR2118STR

僅供參考

型號 IR2118STR
PNEDA編號 IR2118STR
描述 IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,586
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IR2118STR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IR2118STR
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器

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IR2118STR規格

制造商Infineon Technologies
系列-
驅動配置High-Side
頻道類型Single
驅動程序數量1
門類型IGBT, N-Channel MOSFET
電壓-供電10V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH6V, 9.5V
電流-峰值輸出(源極,接收器)250mA, 500mA
輸入類型Inverting
高壓側-最大(自舉)600V
上升/下降時間(典型值)80ns, 40ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

3V, 8V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.6A, 1.6A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

118V

上升/下降時間(典型值)

600ns, 600ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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高壓側-最大(自舉)

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系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.45V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2.5A

輸入類型

CMOS/TTL

高壓側-最大(自舉)

500V

上升/下降時間(典型值)

25ns, 25ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

14-SO

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Texas Instruments

制造商

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

8V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1A, 1A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

108V

上升/下降時間(典型值)

15ns, 15ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

IXYS Integrated Circuits Division

系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

6V, 9.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

9.4ns, 9.7ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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