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IRC634PBF

IRC634PBF

僅供參考

型號 IRC634PBF
PNEDA編號 IRC634PBF
描述 MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220-5
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,146
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRC634PBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRC634PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRC634PBF, IRC634PBF數據表 (總頁數: 8, 大小: 228.29 KB)
PDFIRC634PBF數據表 封面
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IRC634PBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.1A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs450mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs41nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds770pF @ 25V
FET功能Current Sensing
功耗(最大值)74W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-5
包裝/箱TO-220-5

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.7nC @ 5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Infineon Technologies

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HEXFET®

FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 170µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 500V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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52A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

113nC @ 10V

Vgs(最大)

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FET功能

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