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IRC740PBF

IRC740PBF

僅供參考

型號 IRC740PBF
PNEDA編號 IRC740PBF
描述 MOSFET N-CH 400V 10A TO-220-5
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 24 - 十二月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRC740PBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRC740PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRC740PBF, IRC740PBF數據表 (總頁數: 8, 大小: 221.98 KB)
PDFIRC740PBF數據表 封面
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IRC740PBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)400V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs550mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs66nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1200pF @ 25V
FET功能Current Sensing
功耗(最大值)125W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-5
包裝/箱TO-220-5

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

205mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

66W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

IPAK (TO-251)

包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

制造商

IXYS

系列

HiPerFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

690W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247AD (IXFH)

包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

118nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3240pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

277.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1278pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

357W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

780mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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NLC565050T-101K-PF

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