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IRD3CH101DB6

IRD3CH101DB6

僅供參考

型號 IRD3CH101DB6
PNEDA編號 IRD3CH101DB6
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,542
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRD3CH101DB6資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRD3CH101DB6
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
IRD3CH101DB6, IRD3CH101DB6數據表 (總頁數: 6, 大小: 222.56 KB)
PDFIRD3CH101DB6數據表 封面
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IRD3CH101DB6規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)200A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.7V @ 200A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)360ns
當前-反向泄漏@ Vr3.6µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 50A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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500ns

當前-反向泄漏@ Vr

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