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IRF1010ESTRR

IRF1010ESTRR

僅供參考

型號 IRF1010ESTRR
PNEDA編號 IRF1010ESTRR
描述 MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,016
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF1010ESTRR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF1010ESTRR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF1010ESTRR, IRF1010ESTRR數據表 (總頁數: 11, 大小: 127.43 KB)
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IRF1010ESTRR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)84A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs130nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3210pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)200W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17.7A (Ta), 30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 17.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1490pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 39W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

43A (Ta), 240A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

121nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8600pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

77A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1996pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

87W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1250W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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Vgs(最大)

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