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IRF3704ZLPBF

IRF3704ZLPBF

僅供參考

型號 IRF3704ZLPBF
PNEDA編號 IRF3704ZLPBF
描述 MOSFET N-CH 20V 67A TO-262
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,222
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF3704ZLPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF3704ZLPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF3704ZLPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)67A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.9mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.55V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1220pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)57W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-262
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

850mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

125pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

SIPMOS®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

980mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 980mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 380µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

319pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Ta), 94A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 7V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6930pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 42W (Tc)

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

65A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

85nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5800pF @ 25V

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10034pF @ 25V

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功耗(最大值)

294W (Tc)

工作溫度

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供應商設備包裝

TO-262

包裝/箱

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