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IRF3706

IRF3706

僅供參考

型號 IRF3706
PNEDA編號 IRF3706
描述 MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF3706資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF3706
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF3706, IRF3706數據表 (總頁數: 12, 大小: 349.39 KB)
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IRF3706規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)77A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.8V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2410pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)88W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 690µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.6mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.3V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

33A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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