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IRF3709ZL

IRF3709ZL

僅供參考

型號 IRF3709ZL
PNEDA編號 IRF3709ZL
描述 MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF3709ZL資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF3709ZL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF3709ZL, IRF3709ZL數據表 (總頁數: 13, 大小: 337.31 KB)
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IRF3709ZL規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)87A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.3mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.25V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2130pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)79W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-262
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.7A (Ta), 95A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 11.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2865pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

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20A (Ta), 70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

338nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8410pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

181W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1030pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

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