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IRF5804TRPBF

IRF5804TRPBF

僅供參考

型號 IRF5804TRPBF
PNEDA編號 IRF5804TRPBF
描述 MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,146
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF5804TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF5804TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF5804TRPBF, IRF5804TRPBF數據表 (總頁數: 9, 大小: 196.39 KB)
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IRF5804TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs198mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds680pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝Micro6™(TSOP-6)
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

750V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

328pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-SOT223

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

170mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18Ohm @ 80mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Renesas Electronics America

系列

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FET類型

-

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1080pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3.3V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

74nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3537pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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