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IRF5850TRPBF

IRF5850TRPBF

僅供參考

型號 IRF5850TRPBF
PNEDA編號 IRF5850TRPBF
描述 MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,604
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF5850TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF5850TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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IRF5850TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds320pF @ 15V
功率-最大960mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-TSOP

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制造商

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系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.7mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2890pF @ 25V

功率-最大

50W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET功能

Logic Level Gate, 4.5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 10V

功率-最大

200mW (Ta)

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

SC-88

IRF6802SDTR1PBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 13V

功率-最大

1.7W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Toshiba Semiconductor and Storage

系列

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FET類型

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FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

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FET功能

Logic Level Gate, 4V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A, 2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

505pF @ 20V

功率-最大

1W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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