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IRF6100PBF

IRF6100PBF

僅供參考

型號 IRF6100PBF
PNEDA編號 IRF6100PBF
描述 MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,300
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 31 - 一月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF6100PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF6100PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF6100PBF, IRF6100PBF數據表 (總頁數: 8, 大小: 618.58 KB)
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IRF6100PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.1A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs65mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1230pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.2W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝4-FlipFet™
包裝/箱4-FlipFet™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A (Ta), 4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

88mOhm @ 500mA, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.913nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

189pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

745mOhm @ 3.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

452pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 16µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2100pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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