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IRF620

IRF620

僅供參考

型號 IRF620
PNEDA編號 IRF620
描述 MOSFET N-CH 200V 6A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,346
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF620資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF620
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF620, IRF620數據表 (總頁數: 14, 大小: 332.63 KB)
PDFIRF620數據表 封面
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IRF620規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs800mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds350pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)70W (Tc)
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.45V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2230pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Ta)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9Ohm @ 650mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

160pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2V, 2.8V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 100mA, 2.8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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功耗(最大值)

29W (Tc)

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