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IRF6218STRLPBF

IRF6218STRLPBF

僅供參考

型號 IRF6218STRLPBF
PNEDA編號 IRF6218STRLPBF
描述 MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 62,394
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF6218STRLPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF6218STRLPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF6218STRLPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)27A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs150mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs110nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2210pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)250W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

66W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

P-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Body)

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 1V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2120pF @ 15V

FET功能

Schottky Diode (Body)

功耗(最大值)

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