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IRF630STRR

IRF630STRR

僅供參考

型號 IRF630STRR
PNEDA編號 IRF630STRR
描述 MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,888
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF630STRR資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF630STRR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF630STRR規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs43nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

312pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

61W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

46A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

230nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

280W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

97A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.8mOhm @ 58A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3540pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

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