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IRF6724MTR1PBF

IRF6724MTR1PBF

僅供參考

型號 IRF6724MTR1PBF
PNEDA編號 IRF6724MTR1PBF
描述 MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,700
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF6724MTR1PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF6724MTR1PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF6724MTR1PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)27A (Ta), 150A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.5mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.35V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs54nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4404pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DIRECTFET™ MX
包裝/箱DirectFET™ Isometric MX

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 1.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

85nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3055pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

255W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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11A (Ta), 65A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 43W (Tc)

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Vgs(最大)

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功耗(最大值)

2.1W (Ta), 35.5W (Tc)

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