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IRF6725MTRPBF

IRF6725MTRPBF

僅供參考

型號 IRF6725MTRPBF
PNEDA編號 IRF6725MTRPBF
描述 MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,520
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF6725MTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF6725MTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF6725MTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)28A (Ta), 170A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.35V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs54nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4700pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.8W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DIRECTFET™ MX
包裝/箱DirectFET™ Isometric MX

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

365mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

730pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 500mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

80pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

540mW (Ta)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Ta), 70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4300pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.7W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

210A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 105A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

375nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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