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IRF6892STRPBF

IRF6892STRPBF

僅供參考

型號 IRF6892STRPBF
PNEDA編號 IRF6892STRPBF
描述 MOSFET N CH 25V 28A S3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF6892STRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF6892STRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF6892STRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)28A (Ta), 125A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.7mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 4.5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2510pF @ 13V
FET功能-
功耗(最大值)2.1W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DIRECTFET™ S3C
包裝/箱DirectFET™ Isometric S3C

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

430pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 70W (Tc)

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安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

21600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

700W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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