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IRF7103PBF

IRF7103PBF

僅供參考

型號 IRF7103PBF
PNEDA編號 IRF7103PBF
描述 MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7103PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7103PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF7103PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds290pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 2A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 600µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.73nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

75pF @ 50V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19.2mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

765pF @ 15V

功率-最大

10.4W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

830pF @ 15V

功率-最大

27W, 48W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 3.7µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

143pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

385mOhm @ 660mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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