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IRF7220GTRPBF

IRF7220GTRPBF

僅供參考

型號 IRF7220GTRPBF
PNEDA編號 IRF7220GTRPBF
描述 MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,842
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7220GTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7220GTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF7220GTRPBF, IRF7220GTRPBF數據表 (總頁數: 7, 大小: 183.62 KB)
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IRF7220GTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)14V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID600mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs125nC @ 5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8075pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

49mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

670pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.1mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 93µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

79nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13000pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

167W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8079pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

306W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

170pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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功耗(最大值)

125W (Tc)

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