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IRF7240PBF

IRF7240PBF

僅供參考

型號 IRF7240PBF
PNEDA編號 IRF7240PBF
描述 MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,650
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7240PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7240PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF7240PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs110nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9250pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.51mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

145nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11340pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

349W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

43A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

210mOhm @ 21.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

372nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

780W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3500pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.75W (Ta), 60W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.3nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

370pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-

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Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

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31nC @ 10V

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