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IRF7303QTRPBF

IRF7303QTRPBF

僅供參考

型號 IRF7303QTRPBF
PNEDA編號 IRF7303QTRPBF
描述 MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,268
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7303QTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7303QTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7303QTRPBF, IRF7303QTRPBF數據表 (總頁數: 9, 大小: 238.95 KB)
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IRF7303QTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds520pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.1A, 4.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.6nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

455pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

360mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

47mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

650mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 15V

功率-最大

290mW

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