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IRF7313PBF

IRF7313PBF

僅供參考

型號 IRF7313PBF
PNEDA編號 IRF7313PBF
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7313PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7313PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF7313PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds650pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

384pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14Ohm

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

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Through Hole

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 3V

功率-最大

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安裝類型

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58mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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