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IRF7314PBF

IRF7314PBF

僅供參考

型號 IRF7314PBF
PNEDA編號 IRF7314PBF
描述 MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,052
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7314PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7314PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF7314PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID700mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds780pF @ 15V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.5mOhm @ 11.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 1A, 10V, 8Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 25V, 200pF @ 25V

功率-最大

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2 N-Channel (Dual)

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.5mOhm @ 11.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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1.4W

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

139A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

350nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9875pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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5.9A, 4.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 5.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

677pF @ 10V

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