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IRF7316GTRPBF

IRF7316GTRPBF

僅供參考

型號 IRF7316GTRPBF
PNEDA編號 IRF7316GTRPBF
描述 MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,970
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 20 - 六月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7316GTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7316GTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7316GTRPBF, IRF7316GTRPBF數據表 (總頁數: 7, 大小: 225.65 KB)
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IRF7316GTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs58mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs34nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds710pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 68mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

35000pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

115mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.1nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

710pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8.5pF @ 3V

功率-最大

150mW

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Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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