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IRF7316PBF

IRF7316PBF

僅供參考

型號 IRF7316PBF
PNEDA編號 IRF7316PBF
描述 MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價
1 ---------- $7.5547
100 ---------- $7.2006
250 ---------- $6.8464
500 ---------- $6.4923
750 ---------- $6.1972
1,000 ---------- $5.9021
庫存 473
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7316PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7316PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF7316PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs58mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs34nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds710pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 10V

功率-最大

2W

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.3mOhm @ 4A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

662pF @ 15V

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200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

-

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET功能

Logic Level Gate, 4.5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A, 39A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1040pF @ 12V

功率-最大

2.5W

工作溫度

-55°C ~ 155°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

305mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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