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IRF7328TR

IRF7328TR

僅供參考

型號 IRF7328TR
PNEDA編號 IRF7328TR
描述 MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,168
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7328TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7328TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7328TR, IRF7328TR數據表 (總頁數: 8, 大小: 108.62 KB)
PDFIRF7328TR數據表 封面
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IRF7328TR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs21mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs78nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2675pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1225pF @ 25V

功率-最大

3.1W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.3A, 13.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 15V

功率-最大

1.1W, 1.16W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

139A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

350nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9875pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.5A (Ta), 29A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 25V

功率-最大

3.1W (Ta), 23W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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