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IRF7341TRPBF

IRF7341TRPBF

僅供參考

型號 IRF7341TRPBF
PNEDA編號 IRF7341TRPBF
描述 MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 241,194
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7341TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7341TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF7341TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds740pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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6.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 10V

功率-最大

1.1W

工作溫度

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2070pF @ 15V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1340pF @ 16V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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