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IRF7343PBF

IRF7343PBF

僅供參考

型號 IRF7343PBF
PNEDA編號 IRF7343PBF
描述 MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,856
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7343PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7343PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF7343PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.7A, 3.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds740pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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制造商

Infineon Technologies

系列

SIPMOS®

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

246pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolSiC™+

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Silicon Carbide (SiC)

漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

150A (Tj)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)

Vgs(th)(最大)@ ID

5.55V @ 60mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

372nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11000pF @ 800V

功率-最大

20mW (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5100pF @ 25V

功率-最大

208W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SP3

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1287pF @ 25V

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

775mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 570mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

225pF @ 8V

功率-最大

270mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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