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IRF7351TRPBF

IRF7351TRPBF

僅供參考

型號 IRF7351TRPBF
PNEDA編號 IRF7351TRPBF
描述 MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 610,638
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 7 - 二月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7351TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7351TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF7351TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs17.8mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1330pF @ 30V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 16µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1105pF @ 25V

功率-最大

43W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.1A, 3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 24V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET功能

Logic Level Gate, 2.5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.6W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

1200V (1.2kV)

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

187nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5155pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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