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IRF7380QTRPBF

IRF7380QTRPBF

僅供參考

型號 IRF7380QTRPBF
PNEDA編號 IRF7380QTRPBF
描述 MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,430
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7380QTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7380QTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7380QTRPBF, IRF7380QTRPBF數據表 (總頁數: 9, 大小: 220.8 KB)
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IRF7380QTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs73mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds660pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.2mOhm @ 150A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

325nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18500pF @ 25V

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

571mA (Ta), 304mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 25V, 26pF @ 25V

功率-最大

510mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Diodes Incorporated

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2W

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

950mA, 530mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1.6µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.34nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

47pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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