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IRF7413ZTRPBF

IRF7413ZTRPBF

僅供參考

型號 IRF7413ZTRPBF
PNEDA編號 IRF7413ZTRPBF
描述 MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,160
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7413ZTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7413ZTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF7413ZTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.25V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1210pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2180pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 25V

FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2785pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30.6nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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