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IRF7452TRPBF

IRF7452TRPBF

僅供參考

型號 IRF7452TRPBF
PNEDA編號 IRF7452TRPBF
描述 MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,960
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7452TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7452TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF7452TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs50nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds930pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

96W (Tc)

工作溫度

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

880pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

118nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8725pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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