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IRF7456PBF

IRF7456PBF

僅供參考

型號 IRF7456PBF
PNEDA編號 IRF7456PBF
描述 MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,500
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7456PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7456PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF7456PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.8V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.5mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs62nC @ 5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3640pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6540pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

IPU80R1K4CEAKMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 240µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

63W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO251-3

包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

EKI07076

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制造商

Sanken

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.6mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

91nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6340pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

135W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3

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TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.47W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SO

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 91µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4750pF @ 37.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

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