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IRF7469PBF

IRF7469PBF

僅供參考

型號 IRF7469PBF
PNEDA編號 IRF7469PBF
描述 MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,952
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7469PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7469PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF7469PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs17mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2000pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta), 5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-SOT223

包裝/箱

TO-261-3

IRF7402PBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TA)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

47A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

64mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

220nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9620pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

357W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

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Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1670pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

4.2W (Tc)

工作溫度

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