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IRF7509TRPBF

IRF7509TRPBF

僅供參考

型號 IRF7509TRPBF
PNEDA編號 IRF7509TRPBF
描述 MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 314,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7509TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7509TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF7509TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.7A, 2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs110mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds210pF @ 25V
功率-最大1.25W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝Micro8™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

204A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 35.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23000pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

215mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 25V

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.3mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1151pF @ 20V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1438pF @ 15V

功率-最大

1.7W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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