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IRF7521D1

IRF7521D1

僅供參考

型號 IRF7521D1
PNEDA編號 IRF7521D1
描述 MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO-8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7521D1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7521D1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF7521D1, IRF7521D1數據表 (總頁數: 8, 大小: 177.92 KB)
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IRF7521D1規格

制造商Infineon Technologies
系列FETKY™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.7V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID700mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds260pF @ 15V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)1.3W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝Micro8™
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta), 75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1315pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.6W (Ta), 35.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 900mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.1nC @ 10V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

89A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 53A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

186nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6504pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

96W (Tc)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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