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IRF7524D1PBF

IRF7524D1PBF

僅供參考

型號 IRF7524D1PBF
PNEDA編號 IRF7524D1PBF
描述 MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO-8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7524D1PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7524D1PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IRF7524D1PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列FETKY™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.7V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID700mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.2nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds240pF @ 15V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)1.25W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝Micro8™
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21.5nC @ 10V

Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 37A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

107nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

480W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

510mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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