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IRF7530TR

IRF7530TR

僅供參考

型號 IRF7530TR
PNEDA編號 IRF7530TR
描述 MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,652
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7530TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7530TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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IRF7530TR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1310pF @ 15V
功率-最大1.3W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝Micro8™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

56pF @ 25V

功率-最大

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安裝類型

Surface Mount

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HEXFET®

FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 25V

功率-最大

2W

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 25V

功率-最大

3.2W

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-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Advanced Linear Devices Inc.

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Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1800Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 5V

功率-最大

500mW

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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