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IRF7700TRPBF

IRF7700TRPBF

僅供參考

型號 IRF7700TRPBF
PNEDA編號 IRF7700TRPBF
描述 MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,326
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7700TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7700TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IRF7700TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 8.6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs89nC @ 5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4300pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)1.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-TSSOP
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

348mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

374nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10300pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

780W (Tc)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

66A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

860pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

93W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

52.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 26.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1630pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.75W (Ta), 121W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.05Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 130µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

58W (Tc)

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