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IRF7705TR

IRF7705TR

僅供參考

型號 IRF7705TR
PNEDA編號 IRF7705TR
描述 MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,930
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7705TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7705TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IRF7705TR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs18mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs88nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2774pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-TSSOP
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 36A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

82nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5.4nF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

36W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

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制造商

Infineon Technologies

系列

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-

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-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

68W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4600pF @ 15V

FET功能

Schottky Diode (Body)

功耗(最大值)

6.2W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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