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IRF7751TR

IRF7751TR

僅供參考

型號 IRF7751TR
PNEDA編號 IRF7751TR
描述 MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,706
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7751TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7751TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7751TR, IRF7751TR數據表 (總頁數: 8, 大小: 162.22 KB)
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IRF7751TR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs44nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1464pF @ 25V
功率-最大1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

460pF @ 10V

功率-最大

2W

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

47mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

785pF @ 10V

功率-最大

490mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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